介绍PWM死区插入方式的不同以及处理方法

　　家族包含四个产品系列：具有最优性能和最强功能的旗舰RX700系列；标准RX600系列；完美兼具高功效和高性能的RX200系列；和具有极低功耗的入门级RX100系列。这四个系列囊括了众多产品，实现从小型到大型应用的无缝扩展。

　　将其他芯片电机控制方案移植到瑞萨RX系列时，由于PWM死区的插入方式不同，通常会引起相电流波形的畸变。下面介绍PWM死区插入方式的不同以及处理方法。

　　上图1为其他芯片MCU的PWM，我们可以看到死区插入方式为A PWM的上升和B PWM的下降，如图我们假设：

　　上图2为瑞萨RX系列MCU的GPT输出的PWM，GPT的详细使用方法请参考RX系列硬件手册，（例如RX66T硬件手册）。我们可以看到死区插入方式为B PWM的上升和B PWM的下降，如图我们假设周期寄存器和比较寄存器的值跟上图一相同的情况下：

　　我们得到的结果是图2中A和B PWM波形的占空比跟图1中的都不一样，这样就会引起输出相电流波形的畸变。那怎样才能得到跟图1相同的PWM波形呢？如下图3所示：

　　上图3为瑞萨RX系列MCU的PWM，我们可以看到死区插入方式为B PWM的上升和B PWM的下降，如图我们假设：

　　我们可以看到通过修改比较寄存器的值为4，图3中A和B PWM波形的占空比跟图1中的都一样，这样就不会引起输出相电流波形的畸变了。

　　通过这篇文章我们可以看出将其他芯片的电机控制方案移植到瑞萨RX系列时可以通过修改比较寄存器的值，来得到跟移植前PWM占空比一样的波形。

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